MOCVD growth of p-GaN-gated N-polar GaN HEMT heterostructures

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标题	MOCVD growth of p-GaN-gated N-polar GaN HEMT heterostructures 相关领域金属有机气相外延高电子迁移率晶体管异质结材料科学外延宽禁带半导体光电子学电子迁移率化学气相沉积费米气体分析化学（期刊）氮化镓霍尔效应薄板电阻阈值电压二次离子质谱法离子电流密度
网址	https://doi.org/10.1063/5.0323680
DOI	10.1063/5.0323680 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Robert Hamwey; Tanmay Chavan; Boyu Wang; S. Keller; Umesh K. Mishra 出版日期：2026-05-11
求助人	蓝莓西西果冻在 2026-06-11 14:06:13 发布自吉林，悬赏 10 积分
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