4Kim et al. (2023) "Behavior of oxide regrowth during selective Si₃N₄ etching on 3D NAND structures using finite element computational simulations" J. Ind. Eng. Chem. DOI/链接: 10.1016/j.jiec.2023

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标题	4Kim et al. (2023) "Behavior of oxide regrowth during selective Si₃N₄ etching on 3D NAND structures using finite element computational simulations" J. Ind. Eng. Chem. DOI/链接: 10.1016/j.jiec.2023
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求助人	舒服的聪健在 2026-06-30 19:45:34 发布，悬赏 10 积分
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