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 Parameters required to simulate electric characteristics of SiC devices for n-type 4H–SiC n型4H-SiC模拟SiC器件电特性所需的参数
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Sou Kagamihara; Hideharu Matsuura; Tetsuo Hatakeyama; Takatoshi Watanabe; Mitsuhiro Kushibe; et al 出版日期：2004-11-05 |
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