Deep level defects in Ge-doped (010) β-Ga2O3 layers grown by plasma-assis

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标题	Deep level defects in Ge-doped (010) β-Ga2O3 layers grown by plasma-assis 等离子体-assis生长掺Ge（010）β-Ga2O3层的深能级缺陷
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	xmuchem 在 2026-01-03 21:56:16 发布，悬赏 10 积分
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