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A comparative analysis and an optimized structure of vertical GaN floating gate trench MOSFET for high-frequency FOM 高频FOM用垂直GaN浮栅沟槽MOSFET的比较分析及结构优化
相关领域
沟槽
MOSFET
材料科学
光电子学
电气工程
纳米技术
工程类
晶体管
电压
图层(电子)
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| DOI | |
| 其它 |
期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Nilesh Kumar Jaiswal; V. N. Ramakrishnan 出版日期:2022-04-25 |
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