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 A non-volatile and radiation-hardened SRAM based on fourteen transistors and two perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions 基于14个晶体管和两个垂直各向异性磁性隧道结的非易失性抗辐射SRAM
相关领域
晶体管
垂直的
静态随机存取存储器
各向异性
辐射
材料科学
隧道磁电阻
光电子学
光学
电气工程
工程类
物理
复合材料
几何学
图层（电子）
电压
数学
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Pei Yang; Kaixuan Li; Yanyan Zhu; Xinpei Duan; Yanan Yin; et al 出版日期：2025-02-01 |
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