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A non-volatile and radiation-hardened SRAM based on fourteen transistors and two perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions

晶体管 垂直的 静态随机存取存储器 各向异性 辐射 材料科学 隧道磁电阻 光电子学 光学 电气工程 工程类 物理 复合材料 几何学 数学 电压 图层(电子)
作者
Pei Yang,Kaixuan Li,Yanyan Zhu,Xinpei Duan,Yanan Yin,Jiawei Chen,Tao Wang,Xinjie Zhou
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:166: 115603-115603 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2025.115603
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