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标题
Low Power and Suppressed Noise 6T, 7T SRAM Cell Using 18 nm FinFET
采用18 nm FinFET的低功耗和抑制噪声的6T、7T SRAM单元
相关领域
静态随机存取存储器 CMOS芯片 晶体管 计算机科学 泄漏（经济） 电子工程 漏电功率 功率消耗 功率（物理） 电气工程 电压 计算机硬件 工程类 物理 宏观经济学 经济 量子力学
网址
https://doi.org/10.1007/s11277-023-10277-8
DOI
10.1007/s11277-023-10277-8 doi
其它 期刊：Wireless Personal Communications
作者：T. Santosh Kumar; Suman Lata Tripathi
出版日期：2023-03-13
求助人
好好 在 2025-12-09 13:30:31 发布自江苏，悬赏 10 积分
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