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600 V p-type gate-doped enhancement mode gallium nitride-based transistors for AC-to-DC power factor-corrected rectifiers operating at 200 kHz 用于工作在200 kHz的AC到DC功率因数校正整流器的600 V p型栅极掺杂增强型氮化镓基晶体管
相关领域
晶体管
材料科学
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功率半导体器件
电气工程
电子工程
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功率(物理)
门驱动器
光电子学
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纳米技术
物理
量子力学
图层(电子)
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期刊:Journal of Power Electronics 作者:Jinhaeng Jang 出版日期:2022-05-23 |
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