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标题
Buffer‐Less Gallium Nitride High Electron Mobility Heterostructures on Silicon
硅上无缓冲氮化镓高电子迁移率异质结构
相关领域
材料科学 光电子学 异质结 高电子迁移率晶体管 电子迁移率 金属有机气相外延 外延 硅 基质（水族馆） 氮化镓 成核 晶体管 纳米技术 图层（电子） 地质学 海洋学 量子力学 化学 有机化学 物理 电压
网址
https://doi.org/10.1002/adma.202413127
AI链接 nih.gov nih.govdoi.org
DOI
10.1002/adma.202413127 doi
其它 期刊：Advanced Materials
作者：Saptarsi Ghosh; Martin Frentrup; A. Hinz; James W. Pomeroy; D. Field; et al
出版日期：2025-01-23
求助人
W科研小白 在 2025-12-06 14:58:06 发布自福建，悬赏 10 积分
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