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标题
SRAM Write- and Performance-Assist Cells for Reducing Interconnect Resistance Effects Increased With Technology Scaling
相关领域
静态随机存取存储器 互连 缩放比例 CMOS芯片 电阻器 产量（工程） 电气工程 计算机科学 算术 数学 材料科学 工程类 电压 电信 冶金 几何学
网址
https://doi.org/10.1109/jssc.2021.3138785
DOI
10.1109/jssc.2021.3138785 doi
其它 期刊：IEEE Journal of Solid-State Circuits
作者：Keonhee Cho; Hee Kyoung Choi; In-Jun Jung; Jisang Oh; Tae Woo Oh; et al
出版日期：2022-02-03
求助人
风中的晓灵 在 2026-01-12 16:33:34 发布自江苏，悬赏 10 积分
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