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标题
Effect of cap layer and post growth on-site hydride passivation on the surface and interface quality of InAsP/InP hetero and QW structures
相关领域
钝化 材料科学 氢化物 图层（电子） 接口（物质） 光电子学 质量（理念） 复合材料 冶金 金属 哲学 毛细管作用 毛细管数 认识论
网址
https://doi.org/10.1016/j.surfin.2024.105087
DOI
10.1016/j.surfin.2024.105087 doi
其它 期刊：Surfaces and Interfaces
作者：Geetanjali Vashisht; Rijul Roychowdhury; Ravi Kumar; S. Porwal; A. Bose; et al
出版日期：2024-09-08
求助人
lau 在 2026-01-11 13:14:35 发布自甘肃，悬赏 10 积分
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