Joint Optimization of Drift and P-Well Doping Profiles for High-Voltage 4H-SiC MOSFETs Using Physics-Guided Machine Learning

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标题	Joint Optimization of Drift and P-Well Doping Profiles for High-Voltage 4H-SiC MOSFETs Using Physics-Guided Machine Learning
网址	http://dx.doi.org/10.1109/TED.2023.3267891
DOI	10.1109/TED.2023.3267891 doi
求助人	皮皮川在 2026-01-06 11:57:00 发布自四川，悬赏 10 积分
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