A High‐Hole Mobility Tellurium Transistor With Electron‐Donating Passivation Layer for Scalable, High‐Throughput Electronics

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标题	A High‐Hole Mobility Tellurium Transistor With Electron‐Donating Passivation Layer for Scalable, High‐Throughput Electronics
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202527125
DOI	10.1002/adfm.202527125 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Taehyun Nam; Seung Min Lee; Chungryeol Lee; Changhyeon Lee; Sunwoo Jeong; et al 出版日期：2026-04-23
求助人	do0 在 2026-10-16 16:43:40 发布自福建，悬赏 10 积分
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