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Single-event burnout in β-Ga2O3 Schottky barrier diode induced by heavy ion irradiation 相关领域
肖特基二极管
材料科学
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宽禁带半导体
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Teng Ma; Xing Li; Silei Zhong; Yahui Feng; Yuangang Wang; et al 出版日期:2025-09-22 |
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