An adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

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标题	An adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
网址	https://www.nature.com/articles/s42005-018-0102-8.pdf
DOI	10.1038/s42005-018-0102-8 doi
其它	期刊：Communications Physics 作者：Martin Hauck; Johannes Lehmeyer; Gregor Pobegen; Heiko B. Weber; Michael Krieger 出版日期：2018-12-31
求助人	新鲜哥在 2026-03-09 10:42:27 发布自陕西，悬赏 10 积分
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