Reducing dynamic-RON and ΔVTH in GaN E-mode HEMTs by integrating p+-GaN/p-InGaN/p-GaN composite gate with gate termination extension: Simulation evidence

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标题	[高分] Reducing dynamic-RON and ΔVTH in GaN E-mode HEMTs by integrating p+-GaN/p-InGaN/p-GaN composite gate with gate termination extension: Simulation evidence
网址	https://doi.org/10.1016/j.micrna.2026.208641
DOI	10.1016/j.micrna.2026.208641 doi
其它	期刊：Micro and Nanostructures 作者：Liyan Huang; Youyang Wang; Yu Sun; Xiaobo Zhu; Wenhua Gu 出版日期：2026
求助人	fany 在 2026-03-11 21:13:17 发布自伊朗，悬赏 50 积分
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