Study of the manufacturing feasibility of 1.5-nm direct-tunneling gate oxide MOSFETs: uniformity, reliability, and dopant penetration of the gate oxide

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标题	Study of the manufacturing feasibility of 1.5-nm direct-tunneling gate oxide MOSFETs: uniformity, reliability, and dopant penetration of the gate oxide
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx3/16/14384/00661230.pdf?ar...
DOI	10.1109/16.661230 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：H.S. Momose; S.-I. Nakamura; T. Ohguro; T. Yoshitomi; E. Morifuji; et al 出版日期：2002-08-25
求助人	背后的映寒在 2026-04-23 15:48:22 发布自湖北，悬赏 10 积分
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