Charge trapping at the MoS2-SiO2 interface and its effects on the characteristics of MoS2 metal-oxide-semiconductor field effect transistors

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标题	Charge trapping at the MoS2-SiO2 interface and its effects on the characteristics of MoS2 metal-oxide-semiconductor field effect transistors
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/1.49149...
DOI	10.1063/1.4914968 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Yao Guo; Xianlong Wei; Jiapei Shu; Bo Liu; Jianbo Yin; et al 出版日期：2015-03-14
求助人	KANG 在 2026-05-08 18:42:28 发布自上海，悬赏 10 积分
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