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 Degradation Behavior and Trap Analysis Based on Low-Frequency Noise of AlGaN/GaN HEMTs Subjected to Radio Frequency Overdrive Stress 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Qiang Chen; Yiqiang Chen; Chang Liu; Kuiwei Geng; Yujuan He; et al 出版日期：2020-12-10 |
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