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 More Se Vacancies in Sb2Se3 under Se‐Rich Conditions: An Abnormal Behavior Induced by Defect‐Correlation in Compensated Compound Semiconductors 富硒条件下Sb2Se3中更多的Se空位：补偿化合物半导体中缺陷相关引起的异常行为
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硒
化合物半导体
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期刊：Small 作者：Menglin Huang; Zenghua Cai; Shanshan Wang; Xingao Gong; Su‐Huai Wei; et al 出版日期：2021-07-26 |
| 求助人 |
zzz
在
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