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标题
1380 V β-Ga2O3 trench MIS-type Schottky barrier diode with ultra-low leakage current
1380 V β-Ga2O3沟槽MIS型超低漏电流肖特基势垒二极管
相关领域
沟槽 材料科学 二极管 光电子学 肖特基二极管 泄漏（经济） 肖特基势垒 反向漏电流 纳米技术 宏观经济学 经济 图层（电子）
网址
http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/adc053
DOI
10.35848/1347-4065/adc053 doi
求助人
CY 在 2025-07-28 12:24:48 发布自江苏，悬赏 10 积分
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