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 N‐Type Doping Characteristics Enabled by 1D Perovskite for Advancing Perovskite Photovoltaics: From 1.55 to 1.85 eV Bandgap 用于推进钙钛矿光伏的1D钙钛矿N型掺杂特性：从1.55到1.85 eV带隙
相关领域
材料科学
钙钛矿（结构）
光伏
兴奋剂
带隙
光电子学
工程物理
纳米技术
光伏系统
电气工程
化学工程
工程类
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| 其它 |
期刊：Advanced Energy Materials 作者：Xianfang Zhou; Fei Wang; Yonggui Sun; Kang Zhou; Taomiao Wang; et al 出版日期：2025-05-15 |
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