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 First Demonstration of CuCrO2/β-Ga2O3 p-n Heterojunction Diode With High Breakdown Voltage and Low Leakage Current 高击穿电压和低漏电流CuCrO 2/β-Ga 2 O3 p-n异结二极管的首次演示
相关领域
二极管
光电子学
材料科学
异质结
泄漏（经济）
低压
电压
电击穿
电气工程
工程类
电介质
经济
宏观经济学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ying Li; Jialong Lin; Chengyi Tian; Xinwei Wang; Shubo Wei; et al 出版日期：2025-01-01 |
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