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标题
An Extended-Source Tunneling-FET with Gate-Overlapped n+-Doped Pocket
具有栅极重叠n+掺杂口袋的扩展源极隧穿场效应管
相关领域
量子隧道 兴奋剂 阈下传导 绝缘体上的硅 材料科学 光电子学 阈下斜率 场效应晶体管 晶体管 固体物理学 硅 MOSFET 电气工程 电压 凝聚态物理 物理 工程类
网址
https://doi.org/10.1007/s11664-023-10524-5
DOI
10.1007/s11664-023-10524-5 doi
其它 期刊：Journal of Electronic Materials
作者：Reza Meshkin
出版日期：2023-06-17
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就这样吧 在 2025-08-30 15:47:28 发布，悬赏 10 积分
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