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标题
The Achievement of Pulse Laser Deposited Amorphous p-Type N-Doped Ga2O3 for Applying in Thin Film Transistor and Homojunction Diode
脉冲激光沉积非晶p型N掺杂Ga2O3在薄膜晶体管和同质结二极管中的应用
相关领域
同质结 材料科学 光电子学 二极管 薄膜晶体管 兴奋剂 无定形固体 晶体管 激光器 薄膜 激光二极管 脉冲激光器 脉冲激光沉积 电气工程 光学 纳米技术 工程类 电压 物理 化学 结晶学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/tdmr.2025.3559225
DOI
10.1109/tdmr.2025.3559225 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
作者：Teng-Min Fan; Chen Wang; Cong Yi; Chenhao Zhou; Yu‐Li Su; et al
出版日期：2025-01-01
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单薄不惜 在 2025-10-31 08:50:12 发布自河北，悬赏 10 积分
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