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[高分]
  An Analytical Model for Deriving the 3-D Potentials and the Front and Back Gate Threshold Voltages of a Mesa-Isolated Small Geometry Fully Depleted SOI MOSFET 相关领域
绝缘体上的硅
MOSFET
梅萨
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期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Jae Bin Lee; C. H. Suh 出版日期：2012-12-30 |
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