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 Impact of channel thickness on device scaling in vertical InGaZnO channel charge-trap memory transistors with ALD Al2O3 tunneling layer 具有ALD Al2O3隧道层的垂直InGaZnO沟道电荷陷阱存储晶体管中沟道厚度对器件缩放的影响
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Yun-Ju Cho; Young-Ha Kwon; Nak‐Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; Chi‐Sun Hwang; et al 出版日期：2024-04-30 |
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