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 Hydride vapour phase epitaxy processing and enhancement of optoelectronic behaviour of gallium nitride compound semiconductor featured with silicon carbide layer 含碳化硅层的水合物蒸相生长工艺及增强其光电性能
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期刊：Journal of Materials Science Materials in Electronics 作者：K. Revathi; N. Nagabhooshanam; Pragati Gajbhiye; Ankur Kulshreshta; S. Indumathi; et al 出版日期：2025-08-01 |
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