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 Langmuir-Type Mechanism for In-Situ Doping in CVD Si and Si1−xGex Epitaxial Growth CVD Si和Si1-xGex外延生长中原位掺杂的Langmuir型机制
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Junichi Murota; Hiromu Ishii 出版日期：2021-01-05 |
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