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High Breakdown Voltage ($≫$1000 V) Semi-Superjunction MOSFETs Using 600-V Class Superjunction MOSFET Process |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:W. Saito; I. Omura; S. Aida; S. Koduki; M. Izumisawa; et al 出版日期:2005-09-20 |
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