Robust Self‐powered Optoelectronic Synapses Based on Epitaxial InSe/GaN Heterojunction with Interfacial Charge‐Trapping Layer

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标题	Robust Self‐powered Optoelectronic Synapses Based on Epitaxial InSe/GaN Heterojunction with Interfacial Charge‐Trapping Layer
网址	https://doi.org/10.1002/adom.202400358
DOI	10.1002/adom.202400358 doi
其它	期刊：Advanced Optical Materials 作者：Xuecen Miao; Yinuo Zhang; Yunan Lin; Hong Lei; Tai Min; et al 出版日期：2024-04-27
求助人	devin578632 在 2026-10-26 22:33:07 发布自天津，悬赏 10 积分
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