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 The Optical Properties, Energy Band Structure, and Interfacial Conductance of a 3C-SiC(111)/Si(111) Heterostructure Grown by the Method of Atomic Substitution 相关领域
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期刊：Technical Physics Letters 作者：С. А. Кукушкін; А. В. Осипов 出版日期：2020-11-01 |
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