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标题
Temperature-dependent capacitance-voltage characteristics of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with (001) epitaxial grown layer using MOCVD
MOCVD（001）外延生长层β-Ga2O3肖特基势垒二极管的温度相关电容-电压特性
相关领域
材料科学 金属有机气相外延 外延 光电子学 肖特基二极管 图层（电子） 肖特基势垒 二极管 化学气相沉积 分析化学（期刊） 纳米技术 化学 色谱法
网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108130
DOI
10.1016/j.mssp.2024.108130 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：Thanh Huong Vo; Sunjae Kim; Hyeong-Yun Kim; Ji-Hyeon Park; Dae‐Woo Jeon; et al
出版日期：2024-01-15
求助人
FlipFlops 在 2025-12-19 09:29:37 发布自荷兰，悬赏 10 积分
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