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Detailed electrical characterization of 200 mm CMOS compatible GaN/Si HEMTs down to deep cryogenic temperatures 200 mm CMOS兼容GaN/Si HEMT低至深低温的详细电学表征
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
阈下传导
光电子学
晶体管
等效串联电阻
饱和(图论)
阈值电压
CMOS芯片
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数学
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期刊:Solid-State Electronics 作者:Donghyun Kim; Christoforos Theodorou; Antoine Chanuel; Y. Gobil; Matthew Charles; et al 出版日期:2022-09-05 |
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