| 标题 |
 An UMOSFET integrated with graded semi-super-junction and 3C/4H–SiC hetero-crystalline freewheeling junction 相关领域
光电子学
材料科学
电气工程
电压
p-n结
耗尽区
击穿电压
晶体管
电极
沟槽
功率（物理）
MOSFET
半导体
图层（电子）
纳米技术
化学
工程类
物理
物理化学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Microelectronics Journal 作者：Jingyang Ding; Wensheng Wei 出版日期：2023-10-17 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Enigma_GEB
DIVINEDC
cdercder
DW
rum
拆迁办禁言
无极微光
秋风
渡人舟
热切菩萨
Nole
Criminology34
极限001
abadd12
昏睡的蟠桃
GingerF
学术文献互助
yoshiko
七听
孙蓓泽
皖公网安备34019202002308
