Suppression of latch in SOI MOSFETs by silicidation of source

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标题	[高分] Suppression of latch in SOI MOSFETs by silicidation of source 相关领域材料科学绝缘体上的硅光电子学 MOSFET 共发射极击穿电压硅电气工程泄漏（经济）绝缘体（电）电压电子工程工程类晶体管经济宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1049/el:19910625
DOI	10.1049/el:19910625 doi
其它	期刊：Electronics Letters 作者：Liam McDaid; S. Hall; W. Eccleston; J. Alderman 出版日期：1991-05-23
求助人	oli 在 2025-10-17 16:23:12 发布自贵州，悬赏 100 积分
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