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 Electrical properties of a low-temperature fabricated Ge-based top-gate MOSFET structure with epitaxial ferromagnetic Heusler-alloy Schottky-tunnel source and drain 低温制备的外延铁磁Heusler合金肖特基隧道源漏极锗基顶栅MOSFET结构的电学性能
相关领域
材料科学
MOSFET
光电子学
铁磁性
肖特基势垒
场效应晶体管
晶体管
肖特基二极管
外延
凝聚态物理
电气工程
纳米技术
电压
图层（电子）
工程类
物理
二极管
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| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Keisuke Yamamoto; Takuro Matsuo; M. Yamada; Youya Wagatsuma; Kentaro Sawano; et al 出版日期：2023-08-07 |
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