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标题
Electrical properties of a low-temperature fabricated Ge-based top-gate MOSFET structure with epitaxial ferromagnetic Heusler-alloy Schottky-tunnel source and drain
低温制备的外延铁磁Heusler合金肖特基隧道源漏极锗基顶栅MOSFET结构的电学性能
相关领域
材料科学 MOSFET 光电子学 铁磁性 肖特基势垒 场效应晶体管 晶体管 肖特基二极管 外延 凝聚态物理 电气工程 纳米技术 电压 图层（电子） 物理 二极管 工程类
网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107763
DOI
10.1016/j.mssp.2023.107763 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：Keisuke Yamamoto; Takuro Matsuo; M. Yamada; Youya Wagatsuma; Kentaro Sawano; et al
出版日期：2023-08-07
求助人
Ff 在 2025-08-30 19:31:33 发布，悬赏 10 积分
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