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[高分]
 Growth of device grade μc-Si film at over 50Å/s using PECVD 用PECVD以超过50Å/s的速度生长器件级μ c-Si薄膜
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期刊：Solar Energy Materials and Solar Cells 作者：Susumu Suzuki; Michio Kondo; Akihisa Matsuda 出版日期：2002-08-26 |
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