| 标题 |
 Effects of ion channelling on 350 keV proton implantation of 4H-SiC measured by D-SIMS and DLTS defect profiling 用D-SIMS和DLTS缺陷分布测量离子沟道对4H-SiC 350 keV质子注入的影响
相关领域
渠化
材料科学
仿形（计算机编程）
离子
二次离子质谱法
离子注入
质子
原子物理学
光电子学
分析化学（期刊）
核物理学
化学
物理
有机化学
色谱法
计算机科学
操作系统
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Orazio Samperi; Alexander Azarov; Viktor Bobal; Mario Pietro Bertolini; Massimiliano Cantiano; et al 出版日期：2025-01-23 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
猪猪hero
coolkid
aldehyde
耳机单蹦
皖公网安备34019202002308
