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Gate Oxide Failure Mechanisms of SiC MOSFET Related to Electro-Thermomechanical Stress Under HTRB and HTGB Test |
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期刊: 作者:Min Ren; Shiqi Liang; Tong Zhou; Hang Gu; Wei Gao; et al 出版日期:2024-06-02 |
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(2025-6-4)