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标题
Gate Oxide Failure Mechanisms of SiC MOSFET Related to Electro-Thermomechanical Stress Under HTRB and HTGB Test
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DOI
10.1109/ISPSD59661.2024.10579620 doi
其它 期刊:
作者:Min Ren; Shiqi Liang; Tong Zhou; Hang Gu; Wei Gao; et al
出版日期:2024-06-02
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碎觉觉 在 2026-09-11 12:48:25 发布自山西,悬赏 10 积分
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