| 标题 |
Electrochemical Metallization Resistive Memory Devices Using $\hbox{ZnS-SiO}_{2}$ as a Solid Electrolyte |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:J. Q. Huang; L. P. Shi; E. G. Yeo; K. J. Yi; R. Zhao 出版日期:2012-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)