| 标题 |
 Pd-Functionalized Graphene-Gated GaN HEMTs for High-Sensitive Gas Detection and Optoelectronic Recovery 相关领域
材料科学
光电子学
宽禁带半导体
氮化镓
半导体材料
发光二极管
晶体管
高电子迁移率晶体管
制作
降级（电信）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：ACS Sensors 作者：Do Wan Kim; Byungjoon Bae; Taekyun Kim; Sree Sourav Das; Byungsoo Kim; et al 出版日期：2026-07-18 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人或该文件上传人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
null
无极微光
坚强冰枫
血癌乌鸦
8R60d8
嘻嘻哈哈
aaaa
Youdge
极限001
滴滴答答
秋风
DW
乐空思
牧青
吃葡萄不吐葡萄皮
Nole
v0id
kiko
ZDN03
lm
皖公网安备34019202002308
