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 GSE and GWE techniques to improve on (ION) current and ambipolar conduction of tunnel FET(TFET) device: A comprehensive review 提高隧道场效应管(TFET)器件（离子）电流和双极传导的GSE和GWE技术综述
相关领域
双极扩散
隧道场效应晶体管
量子隧道
光电子学
晶体管
MOSFET
材料科学
工作职能
电气工程
阈下传导
缩放比例
场效应晶体管
纳米技术
工程类
电压
物理
电子
数学
图层（电子）
量子力学
几何学
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| 其它 |
期刊：Micro and Nanostructures 作者：Nelaturi Nagendra Reddy; Pratikhya Raut; Deepak Kumar Panda 出版日期：2024-05-08 |
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