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标题
Hot carrier induced TDDB in HV MOS: Lifetime model and extrapolation to use conditions
高压MOS中热载流子诱导的TDDB：寿命模型和使用条件的外推
相关领域
外推法 随时间变化的栅氧化层击穿 PMOS逻辑 介电强度 材料科学 电介质 MOSFET 负偏压温度不稳定性 光电子学 电子工程 可靠性工程 计算机科学 电气工程 栅极电介质 工程类 晶体管 电压 数学分析 数学
网址
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8345372/8353529/08353698...
DOI
10.1109/irps.2018.8353698 doi
其它 期刊：2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
作者：Guido T. Sasse
出版日期：2018-05-09
求助人
zm 在 2025-12-06 23:40:27 发布自云南，悬赏 10 积分
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