Patterning exploration of 16 nm pitch metal lines using spacer-is-dielectric EUV-based self-aligned double patterning

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标题	Patterning exploration of 16 nm pitch metal lines using spacer-is-dielectric EUV-based self-aligned double patterning
网址	https://doi.org/10.1117/12.3050569
DOI	10.1117/12.3050569 doi
其它	期刊：Advanced Etch Technology and Process Integration for Nanopatterning XIV 作者：Stefan Decoster; Vincent Renaud; Yannick Hermans; Chen Wu; Seongho Park; Zsolt Tőkei 出版日期：2025-04-23
求助人	zz 在 2026-01-19 19:54:41 发布自上海，悬赏 20 积分
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