Voltage scheme for string-select transistors to improve inhibition characteristics during 1-bit erase in vertical NAND flash

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标题	Voltage scheme for string-select transistors to improve inhibition characteristics during 1-bit erase in vertical NAND flash 相关领域与非门晶体管阈值电压电压计算机科学光电子学闪光灯（摄影）频道（广播）泄漏（经济）材料科学电气工程逻辑门电子工程物理工程类光学经济宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0161000
DOI	10.1063/5.0161000 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Sungho Park; Ho-Nam Yoo; Yeongheon Yang; Jong-Won Back; Ryun‐Han Koo; et al 出版日期：2023-10-02
求助人	zyc 在 2026-01-10 11:27:07 发布自贵州，悬赏 10 积分
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