| 标题 |
 Voltage scheme for string-select transistors to improve inhibition characteristics during 1-bit erase in vertical NAND flash 相关领域
与非门
晶体管
阈值电压
电压
计算机科学
光电子学
闪光灯（摄影）
频道（广播）
泄漏（经济）
材料科学
电气工程
逻辑门
电子工程
物理
工程类
光学
经济
宏观经济学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Sungho Park; Ho-Nam Yoo; Yeongheon Yang; Jong-Won Back; Ryun‐Han Koo; et al 出版日期：2023-10-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
yjh123
无极微光
忧郁翠彤
Kao
Nexus
Copyright
潇洒的惋清
cdercder
烟消云散
Criminology34
GingerF
phdchem
OK
xjcy
烂漫的碧玉
xyz
Au_
疯狂加载ing
Avalonx
yl666
皖公网安备34019202002308
