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标题
H+ implantation induced defects distribution in 4H-SiC single crystal film fabricated by Crystal-Ion-Slicing and its effects on electrical behavior: A multiple characterization study
晶体离子切片制备的4H-SiC单晶薄膜中H+注入诱导的缺陷分布及其对电学行为的影响：多重表征研究
相关领域
切片 材料科学 表征（材料科学） 单晶 离子 离子注入 Crystal（编程语言） 光电子学 结晶学 分析化学（期刊） 纳米技术 化学 计算机科学 万维网 有机化学 程序设计语言 色谱法
网址
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.160673
DOI
10.1016/j.apsusc.2024.160673 doi
其它 期刊：Applied Surface Science
作者：Dailei Zhu; Wenbo Luo; G.W Wang; Kuangkuang Li; Limin Wan; et al
出版日期：2024-07-06
求助人
Tina 在 2025-12-04 14:03:59 发布自湖南，悬赏 10 积分
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