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 Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current–voltage characteristic 具有退火Mg欧姆接触层的横向p型GaN肖特基势垒二极管表现出理想的电流-电压特性
相关领域
欧姆接触
热离子发射
肖特基二极管
材料科学
肖特基势垒
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Shun Lu; Manato Deki; Takeru Kumabe; Jia Wang; Kazuki Ohnishi; et al 出版日期：2023-04-03 |
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