Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current–voltage characteristic

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标题	Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current–voltage characteristic 具有退火Mg欧姆接触层的横向p型GaN肖特基势垒二极管表现出理想的电流-电压特性相关领域欧姆接触热离子发射肖特基二极管材料科学肖特基势垒光电子学金属半导体结二极管饱和电流宽禁带半导体电压图层（电子）纳米技术电气工程物理工程类量子力学电子
网址	https://doi.org/10.1063/5.0146080
DOI	10.1063/5.0146080 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Shun Lu; Manato Deki; Takeru Kumabe; Jia Wang; Kazuki Ohnishi; et al 出版日期：2023-04-03
求助人	magiczhu 在 2025-12-23 22:36:52 发布自江苏，悬赏 10 积分
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