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  MRAM Devices to Design Ternary Addressable Physically Unclonable Functions 设计三进制可寻址物理不可克隆功能的MRAM器件
相关领域
物理不可克隆功能
磁阻随机存取存储器
计算机科学
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期刊：Electronics 作者：Manuel Aguilar Rios; Mahafujul Alam; Bertrand Cambou 出版日期：2023-08-02 |
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